• NTMFS3D1N04XMT1G MOSFET 40V

    NTMFS3D1N04XMT1G800000PCS,更多详情参数或规格书请联系 NTMFS3D1N04XMT1G供货情况 NTMFS3D1N04XMT1G产品购买 NTMFS3D1N04XMT1G中文资料-数据手册-PDF资料 制造商:onsemi 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:DFN-5 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1Channel Vds-漏源极击穿电压:40V

  • NTMFS3D2N10MDT1G MOSFET

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  • EP2AGX45DF29C6G现场可编程门阵列

    EP2AGX45DF29C6G是英特尔(原Altera)公司ArriaIIGX系列中的一款现场可编程门阵列(FPGA)芯片,EP2AGX45DF29C6G是英特尔(原Altera)公司ArriaIIGX系列中的一款现场可编程门阵列(FPGA)芯片,以下是其详细介绍:主要特点丰富的逻辑资源:具有42959个逻辑元件/单元,可实现复杂的数字逻辑功能,能够满足多种不同类型的设计需求,适用于对逻辑资源要求较高的应用场景,如数字信号处理、图像视频处理等。大容量

  • BA3121F-E2音频放大器

    BA3121F-E2是罗姆(Rohm)公司生产的一款立体声AB类音频放大器,常用于汽车音响等音频应用电路中。,BA3121F-E2是罗姆(Rohm)公司生产的一款立体声AB类音频放大器,常用于汽车音响等音频应用电路中。以下是其详细介绍:主要特点接地隔离特性:这是一款接地隔离放大器,采用独特方式,能有效排除配线电阻的影响,可切实消除汽车中各种电子零部件产生的杂音,非常适合汽车音响等对噪声抑制要求较高的应用场景。高性能指标:具有高共模抑制比,在1kHz时典型值为57d

  • AZ431AN-ATRE1 DIODES(美台) SOT-23 现货供应 欢迎来电咨询

    AZ431AN-ATRE1DIODES(美台)800000PCS,AZ431AN-ATRE1 品牌:DIODES(美台) 封装:SOT-23 输入电流:100mA 工作电压:2.5V~36V 类目:电压基准芯片 AZ431AN-ATRE1是美台(DiodesIncorporated)公司生产的一款三端可调式精密并联稳压器集成电路。以下是它的详细介绍: 特点 输出电压可调:输出电压范围为2.5V至36V,通过两个电阻可设置Vref(2.5V)到36V范

  • JANTXV2N2222A高可靠性晶体管:军工级性能,严苛环境稳定输出

    JANTXV2N2222A为军工级金属封装晶体管,支持60V/800mA负载,耐温范围-65℃~200℃,适用于电源管理、工业控制及高频开关电路,满足MIL-PRF-19500标准认证,特性概述 JANTXV2N2222A是一款NPN型硅晶体管,专为高可靠性场景设计,核心优势包括: 军工级品质:通过MIL-PRF-19500认证,适应极端温度与振动环境; 高耐压输出:VCEO达60V,IC峰值800mA,支持中功率开关及放大电路; 快速响应:开关频率达250MHz,提升高频电路效率

  • MT47H128M8CF-25E IT:H 高密度存储芯片 | 现货直供·性能与成本双优

    基于MT47H128M8CF-25EIT:H的存储性能及多场景适配能力,结合现货供应与价格优势,打造高效、稳定的电子系统解决方案。,核心亮点 MT47H128M8CF-25EIT:H采用高密度存储架构,支持128M×8容量配置,25E级工业温度范围(-40℃~85℃),确保极端环境下的数据稳定性。其8CF封装工艺显著降低信号延迟,配合高速数据传输接口,可满足实时性要求严苛的场景需求。 典型应用场景如下: 智能终端设备 适用于4K智能电视、高端游戏主机,优化视频流媒体缓存与多线程任务处理

  • THVD1426DRLR RS-422/RS-485介面IC

    THVD1426DRLR80000PCS,製造商:TexasInstruments 產品類型:RS-422/RS-485介面IC RoHS: 系列:THVD1426 安裝風格:SMD/SMT 封裝/外殼:SOT-5X3-8 功能:Transceiver 驅動器數:1Driver 接收器數:1Receiver 數據率:12Mb/s 電源電壓-最大值:5.5V 電源電壓-最小值:3V 最低工作溫度:-40

  • TFP401AIPZPRQ1 顯示器驅動器和控制器

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  • NTMFS3D5N08XT1G MOSFET T10 80V

    NTMFS3D5N08XT1G8000PCS,更多详情参数或规格书请联系 NTMFS3D5N08XT1G供货情况 NTMFS3D5N08XT1G产品购买 NTMFS3D5N08XT1G中文资料-数据手册-PDF资料 制造商:onsemi 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:DFN-5 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1Channel Vds-漏源极击穿电压:80V Id-连续

  • NTMFS3D6N10MCLT1G MOSFET T10 80V

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  • NTMFS4C03NT1G MOSFET NFET SO8FL 30V

    NTMFS4C03NT1G80000PCS,更多详情参数或规格书请联系 NTMFS4C03NT1G供货情况 NTMFS4C03NT1G产品购买 NTMFS4C03NT1G中文资料-数据手册-PDF资料 制造商:onsemi 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SO-8FL-4 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1Channel Vds-漏源极击穿电压:30V Id-连续漏极电流:

  • NTMFS4C03NT1G MOSFET NFET SO8FL

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  • 2EDN7424RXTMA1 贴片TSSOP-8 栅极驱动器 ic芯片电阻电容电感晶振一站式bom配单

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    全新英集芯IP2332单节锂电池同步开关降压充电芯片,1特性 ●同步开关降压充电 功率MOS内置,最大2.4A开关充电,效率92%_标准4.20V,其他电压需定制,支持磷酸铁锂 电池,充满电压定制范围3.5V~4.4V 充电电流ISET脚可设置 ●支持NTC保护功能 ●支持2路LED灯 LED1支持恒流输出功能(无需串限流电阻) ●待机低功耗 VIN=0时BAT耗电小于2uA ●多重保护、高可靠性 输入过压、欠压

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    X9313WSIZT1可作为三端电位器或两端可变电阻,广泛应用于控制、参数调整和信号处理等领域。,X9313WSIZT1是一款由瑞萨电子(RenesasElectronics)生产的数字电位计IC。以下是它的一些详细参数:封装形式:采用SOIC8_150MIL封装,尺寸为4.90mm×3.90mm,安装类型为SMT。温度系数:Tf为±300ppm/℃。接口类型:采用Up/Down(U/D,INC,CS)三线接口来控制电位器的抽头位置。引脚数量:8Pin。