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SIRA04DP-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIRC04DP-T1-GE3

N-Channel30V(D-S)MOSFETWithSchottkyDiode

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

详细参数

  • 型号:

    SIRA04DP-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SIRA04DP-T1-GE3供应商 更新时间2024-10-31 14:08:00