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JANTX1N6629U	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SQ-MELF，E 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANTX1N6629US	文件：100.26 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA FAST RECTIFIERS DESCRIPTION This“UltrafastRecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/590andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized2.0to4.0Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom200to100	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANTX1N6629US	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SQ-MELF，E 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N6629	文件：155.75 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N6629	文件：429.11 Kbytes Page：3 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS ULTRAFASTRECTIFIERS Note1:LowCurrentReverseRecoveryTimeTestConditionsIF=0.5A,IRM=1.0A,IR(REC)=0.25A. Note2:HighCurrentReverseRecoveryTimeTestConditionsIF=2.0A,100A/µs,MIL-STD-750,METHOD4031,CONDITIOND.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N6629	文件：335.01 Kbytes Page：4 Pages	VOIDLESS-HERMETICALLYSEALEDULTRAFASTRECOVERYGLASSRECTIFIERS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N6629	文件：100.26 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS DESCRIPTION This“UltrafastRecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/590andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized2.0to4.0Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom200to100	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N6629	文件：43.71 Kbytes Page：3 Pages	UltrafastRecoveryRectifier	SENSITRON Sensitron	SENSITRON
1N6629	文件：50.47 Kbytes Page：3 Pages	UltrafastRecoveryRectifier •Hermetic,non-cavityglasspackage •Metallurgicallybonded •OperatingandStorageTemperature:-65oCto+175o	SENSITRON Sensitron	SENSITRON
1N6629	文件：76.7 Kbytes Page：2 Pages	HYPERFASTRECOVERYRECTIFIER FEATURES: ●HyperFastRecovery:30-60nsecmaximum ●PIVupto1200Volts ●LowReverseLeakageCurrent ●HermeticallySealed ●VoidFreeConstruction ●ForHighEfficiencyApplications ●TypicalWeight:0.75g(AxialLeaded);0.45g(SMS) ●TX,TXV,andSpaceLevelScreeningAvailable2	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
1N6629	文件：99.84 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS Features •AXIALANDSURFACEMOUNTCONFIGURATIONS •HIGHVOLTAGEWITHULTRAFASTRECOVERYTIME •VERYLOWSWITCHINGLOSSATHIGHTEMPERATURE •LOWCAPACITANCE •METALLURGICALLYBONDED •NON-CAVITYGLASSPACKAGE •SURFACEMOUNTDIODESTHERMALLYMATCHEDFORUSEONCERAMICPRINTEDWIRINGBOARD	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N6629	文件：257.05 Kbytes Page：4 Pages	VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALEDULTRAFASTRECOVERYGLASSRECTIFIERS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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1N6629US	文件：363.24 Kbytes Page：4 Pages	VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALEDSURFACEMOUNTULTRAFASTRECOVERYGLASSRECTIFIERS DESCRIPTION This“UltrafastRecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/590andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized2.0to4.0Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom200to100	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N6629US	文件：99.84 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS Features •AXIALANDSURFACEMOUNTCONFIGURATIONS •HIGHVOLTAGEWITHULTRAFASTRECOVERYTIME •VERYLOWSWITCHINGLOSSATHIGHTEMPERATURE •LOWCAPACITANCE •METALLURGICALLYBONDED •NON-CAVITYGLASSPACKAGE •SURFACEMOUNTDIODESTHERMALLYMATCHEDFORUSEONCERAMICPRINTEDWIRINGBOARD	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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产品属性

产品编号：
JANTX1N6629U
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Military, MIL-PRF-19500/590
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1.4A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SQ-MELF，E
供应商器件封装：
D-5B
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

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