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IRFP460	文件：94.03 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistors Avalanche energy rated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. TheIRFP460issuppliedi	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRFP460	文件：91.86 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL 500V - 0.22 ohm - 20 A - TO-247 PowerMESH] MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY™process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=0.22Ω ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100AVALA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRFP460	文件：55.75 Kbytes Page：7 Pages	20A, 500V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP460	文件：163.67 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A) Features ●Dynamicdv/dtRating ●RepetitiveAvalancheRated ●IsolatedCentralMoutingHole ●FastSwitching ●EaseofParalleling ●SimpleDriveRequirements.	IRF International Rectifier	IRF
IRFP460	文件：77.25 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOS - Power MOSFET MegaMOS™PowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode,HDMOS™Family Features ●Repetitiveavalancheenergyrated ●Fastswitchingtimes ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●HighCommutatingdv/dtRating Applications ●SwitchingPowerSupplies ●Motorcontr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP460	文件：135.66 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP460	文件：67.9 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.27Ω(Max) •FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP460	文件：203.58 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP460	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRFP460	文件：169.48 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFP460
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 20 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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