F339X134748MFM2B0_电容器薄膜电容器EMI，RFI 抑制-TS

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1000+	¥3.00722

厂家型号：
F339X134748MFM2B0
制造商：
TS/T&S Brass. All Rights Reserved.
库存数量：
0
类别：
电容器薄膜电容器
封装外壳：
径向
包装：
散装
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-11-24 8:14:00

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原厂料号：F339X134748MFM2B0品牌：Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components

资料说明：CAP FILM 0.047UF 20% 1KVDC RAD

F339X134748MFM2B0是电容器 > 薄膜电容器。制造商TS/T&S Brass. All Rights Reserved.生产封装径向的F339X134748MFM2B0薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF，电压为 2.5 V 至 100 V，封装尺寸为 0201 至 1210，容差为 ±0.01 pF 至 ±5％。

芯片型号：
f339x134748mfm2b0
规格书：
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企业简称：
TS详情
厂商全称：
T&S Brass. All Rights Reserved.
资料说明：
CAP FILM 0.047UF 20% 1KVDC RAD

产品属性

类型
描述
产品编号：
F339X134748MFM2B0
制造商：
Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components
类别：
电容器 > 薄膜电容器
系列：
F339X1
包装：
散装
容差：
±20%
额定电压 - AC：
480V
额定电压 - DC：
1000V（1kV）
介电材料：
聚丙烯（PP），金属化
工作温度：
-55°C ~ 110°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
大小 / 尺寸：
0.689" 长 x 0.236" 宽（17.50mm x 6.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.472"（12.00mm）
端接：
PC 引脚
引线间距：
0.591"（15.00mm）
应用：
EMI，RFI 抑制
等级：
X1
描述：
CAP FILM 0.047UF 20% 1KVDC RAD

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