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DMG1012T	文件：146.53 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •ESDProtectedupto2kV •GreenDevice(Note3) •	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG1012T	文件：1.91523 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
DMG1012T-7	文件：146.53 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •ESDProtectedupto2kV •GreenDevice(Note3) •	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG1012T_15	文件：142.14 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG1012T-7	文件：142.14 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG1012TQ-7	文件：142.14 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG1012UW	文件：158.2 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •ESDProtectedUpTo2KV •GreenDevice(Note2) •	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG1012UW	文件：2.64683 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
DMG1012UWQ	文件：530.36 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtected TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMG1012UWQissuitablefo	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DML1012LDS	文件：1.11404 Mbytes Page：12 Pages	SINGLECHANNELSMARTLOADSWITCH Features LowRDS(ON)–EnsuresOn-StateLossesAreMinimized 0.8VtoVBIAS–1.5VInputVoltageRange 6AContinuousCurrent LowRDS(ON)InternalNFETs 8mΩatVBIAS=5V,VIN=1.05V,TA=+85°C 28μALowQuiescentCurrent 10μsTurnOnRiseTime 3.2Vto5.5VBiasVoltage Int	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

详细参数

型号：
DMG1012T
功能描述：
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多DMG1012T供应商更新时间2025-4-4 18:26:00

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