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CY14B101NA-ZS25XI

1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY14B101NA-ZS25XI

1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM

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CY14B101NA-ZS25XI

1-Mbit (128 K 횞 8/64 K 횞 16) nvSRAM

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CY14B101NA-ZS25XI

包装:托盘 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II

Cypress Semiconductor Corp

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CY14B101NA-ZS25XIT

1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

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CY14B101NA-ZS25XIT

1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM

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CY14B101NA-ZS25XIT

1-Mbit (128 K 횞 8/64 K 횞 16) nvSRAM

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CY14B101NA-ZS25XIT

包装:卷带(TR) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II

Cypress Semiconductor Corp

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CY14B101NA-ZS25XC

1Mbit(128Kx8/64Kx16)nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY14B101NA-ZS25XCT

1Mbit(128Kx8/64Kx16)nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

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产品属性

  • 产品编号:

    CY14B101NA-ZS25XI

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    25ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多CY14B101NA-ZS25XI供应商 更新时间2024-12-21 16:36:00