70V3579S4DR_集成电路(IC) 存储器-瑞萨

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原厂料号:70V3579S4DR品牌:Renesas Electronics America Inc

资料说明:IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP

70V3579S4DR是集成电路(IC) > 存储器。制造商RENESAS/瑞萨生产封装208-BFQFP的70V3579S4DR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

  • 芯片型号:

    70v3579s4dr

  • 规格书:

    原厂下载 下载

  • 企业简称:

    RENESAS【瑞萨】详情

  • 厂商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 中文名称:

    瑞萨科技有限公司

  • 资料说明:

    IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    70V3579S4DR

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 双端口,同步

  • 存储容量:

    1.125Mb(32K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    208-BFQFP

  • 供应商器件封装:

    208-PQFP(28x28)

  • 描述:

    IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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