| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220/TO-263 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,现货供应IRF9Z24N,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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IRTO 220 |
160878 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRTO-220 |
15550 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
38656 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
160044 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
9000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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TSOC-6 |
18000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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TO-220 |
35000 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
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INFINEONTO-220 |
45400 |
2136 |
全新原装公司现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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210494 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO-220 |
30000 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO-220 |
28000 |
22+ |
原装现正品可看现货 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IRTO-263 |
36800 |
21+ |
进口原装现货 假一赔十 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONTO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
18355 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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IRF9Z24NS 55V12A P沟道 MOS管 TO263 Original（原装）
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRF9Z24NS55V12ATO263
IRF9Z24NPBF 原装现货特价热卖 深圳市神舟芯电子科技有限公司
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IRF9Z24NPBF 原装正品 假一赔十 深圳市美思星科技有限公司 陈小姐 0755-83785732
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型号：IRF9Z24NPBF品牌：IR正品封装：TO-220数量：5000单价：面谈沟道类型：P沟道封装外形：P-DIT/塑料双列直插导电方式：增强型参数：-12A/-55V全新原装正品深圳市勤思达科技有限公司专业分销IR,
IRF9Z24NPBF中文资料Alldatasheet PDF
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IRF9Z24NPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IRF9Z24NSPBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9Z24NSTRL功能描述:MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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IRF9Z24NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
