特征
灵活的逻辑体系结构
•六个设备,具有256至6864个LUT4和
18到334个I/O
超低功耗设备
•先进的65 nm低功耗工艺
•低至22µW的待机功率
•可编程低摆幅差分I/O
•待机模式和其他节能选项
嵌入式和分布式存储器
•高达240 kbits的sysMEM™嵌入式块
内存
•高达54 kbits的分布式RAM
•专用FIFO控制逻辑
片上用户闪存
•高达256 kbits的用户闪存
•100000个写入周期
•可通过WISHBONE、SPI、I2访问
C和
JTAG接口
•可用作软处理器PROM或
闪存
预先设计的源同步I/O
•I/O单元中的DDR寄存器
•专用传动逻辑
•7:1显示I/O的传动装置
•通用DDR、DDRX2、DDRX4
•专用DDR/DDR2/LPDDR内存
DQS支持
高性能、灵活的I/O缓冲区
•可编程sysIO™缓冲区支持广泛
接口范围:
–LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
–LVTTL
–PCI
–LVDS、总线LVDS、MLVDS、RSDS、LVPECL
–HSTL 18
–施密特触发器输入,滞后高达0.5 V
•I/O支持热插拔
•片上差分终端
•可编程上拉或下拉模式
灵活的片上计时
•八个主时钟
•最多两个边缘时钟用于高速I/O
接口(仅限顶部和底部)
•每个设备最多两个模拟PLL
分数n频率合成
–宽输入频率范围(7 MHz至
400 MHz)
非易失性,无限可重构
•即时开启–在微秒内通电
•单片安全解决方案
•可通过JTAG、SPI或I2进行编程
C
•支持非易失性存储器的后台编程
•可选双引导,带外部SPI存储器
TransFR™重新配置
•系统运行时的现场逻辑更新
增强的系统级支持
•片上强化功能:SPI、I2
C、 定时器/
柜台
•片上振荡器,精度为5.5%_•用于系统跟踪的唯一TraceID
•一次性可编程(OTP)模式
•扩展操作的单电源
范围
•IEEE标准1149.1边界扫描
•系统编程符合IEEE 1532
广泛的套餐选项
•TQFP、WLCSP、ucBGA、csBGA、caBGA、ftBGA,
fpBGA、QFN封装选项
•占地面积小的封装选项
–小至2.5 mm x 2.5 mm
•支持密度迁移
•先进的无卤包装